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IRFR/U4105
1200
1000
V GS
C is s
C rs s
C iss C o s s
=
=
=
=
0V, f = 1MHz
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 16 A
V DS = 44V
V DS = 28V
800
C o ss
12
600
8
400
C rss
200
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
S E E F IG U R E 1 3
30
40
A
1000
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , T otal G ate C h arge (n C )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10μ s
T J = 17 5°C
10
T J = 25 °C
10
100μ s
1m s
V G S = 0V
1
0.4
0.8
1.2
1.6
A
2.0
1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
100
A
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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